Тибқи гузоришҳо, Samsung таваҷҷӯҳи худро ба бозори хотираи MRAM (Хотираи тасодуфии дастрасии магнитӣ) бо мақсади васеъ кардани истифодаи ин технология дар дигар бахшҳо равона мекунад. Ба иттилои расонаҳои Кореяи Ҷанубӣ, ин бузургҷуссаи фанноварӣ умедвор аст, ки хотираҳои MRAM-и он ба ҷуз аз Интернети ашё ва AI, ба монанди саноати мошинсозӣ, хотираи графикӣ ва ҳатто электроникаи пӯшидашаванда роҳ пайдо мекунанд.
Samsung дар тӯли чанд сол дар болои хотираҳои MRAM кор мекунад ва ба истеҳсоли оммавии ҳалли тиҷоратии худ дар ин соҳа дар нимаи соли 2019 оғоз кард. Он онҳоро бо истифода аз раванди 28 нм FD-SOI истеҳсол кард. Ин ҳалли иқтидори маҳдуд дошт, ки ин яке аз нуқсонҳои технология аст, аммо тибқи гузоришҳо он ба дастгоҳҳои IoT, микросхемаҳои зеҳни сунъӣ ва микроконтроллерҳои истеҳсолкардаи NXP татбиқ шудааст. Тасодуфан, ширкати Голландия метавонад ба зудӣ як қисми Samsung шавад, агар бузургҷуссаи технологӣ бошад бо мавчи навбатии хариду муттахидшавй пеш меравад.
Таҳлилгарон тахмин мезананд, ки бозори ҷаҳонии хотираҳои MRAM то соли 2024 ба 1,2 миллиард доллар (тақрибан 25,8 миллиард крон) мерасад.
Хотираи ин навъи хотираҳо аз хотираҳои DRAM чӣ фарқ доранд? Дар ҳоле, ки DRAM (ба мисли флеш) маълумотро ҳамчун заряди барқ нигоҳ медорад, MRAM як ҳалли ғайридавлатӣ мебошад, ки унсурҳои нигаҳдории магнитиро, ки аз ду қабати ферромагнитӣ ва монеаи тунук барои нигоҳ доштани маълумот истифода мебаранд, истифода мебарад. Дар амал, ин хотира бениҳоят тез аст ва метавонад аз eFlash то 1000 маротиба тезтар бошад. Қисми ин аз он иборат аст, ки пеш аз оғози навиштани маълумоти нав ба он лозим нест, ки давраҳои тозакуниро анҷом диҳад. Илова бар ин, он нисбат ба васоити нигаҳдории анъанавӣ қувваи камтарро талаб мекунад.
Баръакс, бузургтарин нуқсони ин қарор иқтидори хурди дар боло зикршуда мебошад, ки яке аз сабабҳои он аст, ки он то ҳол ба ҷараёни асосӣ ворид нашудааст. Аммо, ин метавонад ба зудӣ бо равиши нави Samsung тағир ёбад.
Шумо метавонед ба он таваҷҷӯҳ кунед
