Samsung ва Qualcomm як чипсети дигареро эълон карданд, ки қалби чанд телефони нав хоҳад буд. Он Snapdragon 835 аст ва бо истифода аз технологияи 10 нм FinFET истеҳсол шудааст. Тибқи маълумоте, ки аз Чин меояд, протсессор ба ҷои чаҳор ядро ҳашт ядроро пешниҳод мекунад. Ҳамин тавр, Snapdragon 835 як неши воқеӣ хоҳад буд.
Чипи Adreno 540, SoC бо дастгирии технологияи UFS 2.1 ва дигарон ба коркарди графикӣ машғул хоҳанд шуд. Universal Storage Flash 2.1 беҳбудиҳои назаррасро нисбат ба версияҳои қаблӣ пешкаш мекунад, ки амнияти беҳтар ва ғайраро меорад. Эҳтимол, он аввалин модели протсессори нав хоҳад буд Galaxy S8, ки бояд дар нимаи аввали соли оянда расад.
Инчунин бояд қайд кард, ки ҳуҷҷат ба як чипсети дигари эълоннашудаи Qualcomm ишора мекунад, ки мо бояд дар семоҳаи 2-и соли 2017 интизор шавем. Snapdragon 660 бо ҳашт ядрои Adreno 512 GPU ва дастгирии UFS 2.1 меояд. Аммо, Snapdragon 660 бо истифода аз раванди 14 нм истеҳсол мешавад, на 10 нм.
Сарчашма: Phonearena
