Samsung имрӯз истеҳсоли оммавии модулҳои нави DDR3 DRAM-и худро бо истифода аз раванди истеҳсолии 20 нанометр оғоз кард. Ин модулҳои нав дорои иқтидори 4 Гб, яъне 512 МБ мебошанд. Аммо, хотираи дастраси модулҳои инфиродӣ хусусияти асосии онҳо нест. Пешравӣ маҳз дар истифодаи раванди нави истеҳсолот аст, ки дар муқоиса бо раванди кӯҳнаи 25 нанометр сарфи энергия то 25% кам мешавад.
Гузариш ба технологияи 20-нм низ қадами охиринест, ки ширкатро аз оғози истеҳсоли модулҳои хотира бо истифода аз раванди 10-нм ҷудо мекунад. Технологияе, ки ҳоло барои модулҳои нав истифода мешавад, инчунин дар бозор пешрафтатарин аст ва онро на танҳо бо компютерҳо, балки бо дастгоҳҳои мобилӣ низ метавон истифода бурд. Барои компютерҳо, ин маънои онро дорад, ки Samsung ҳоло қодир аст микросхемаҳои якхеларо эҷод кунад, аммо бо хотираи амалиётӣ ба таври назаррас калонтар. Samsung инчунин маҷбур шуд, ки технологияи мавҷудаи худро тағир диҳад, то чипҳоро хурдтар кунад ва бо нигоҳ доштани усули ҳозираи истеҳсолот.
- Шояд шумо таваҷҷӯҳ дошта бошед: Samsung аввалин хотираи мобилии DRAM 8Gb LPDDR4-ро таҳия кардааст
