Прага, 7 январи соли 2014 - Samsung, пешвои ҷаҳон дар технологияи хотира ва истеҳсол, аввалинро муаррифӣ кард 8Gb хотираи мобилӣ DRAM s истеъмоли ками энергия LPDDR4 (қудрати пасти дукарата суръати маълумот 4).
"Ин насли нави LPDDR4 DRAM ба афзоиши босуръати бозори ҷаҳонии мобилии DRAM, ки ба зудӣ ҳиссаи бузургтарини тамоми бозори DRAM-ро ташкил медиҳад, саҳми назаррас хоҳад дошт.”, - гуфт Янг-Хюн Мэй, ноиби президенти иҷроия оид ба тиҷорат ва маркетинги шӯъбаи хотираи Samsung Electronics. "Мо мекӯшем, ки ҳамеша як қадам пеш аз дигар истеҳсолкунандагон бошем ва ҷорӣ кардани DRAM-ҳои пешрафтаи мобилиро идома диҳем, то истеҳсолкунандагони ҷаҳонӣ тавонанд дастгоҳҳои нави мобилиро дар муддати кӯтоҳтарин ба кор андозанд.», илова намуд Янг-Хен Мэй.
Бо хусусиятҳои худ, ба монанди зичии баландтари хотира, иҷрои баланд ва самаранокии энергия, хотираҳои мобилии Samsung DRAM LPDDR4 ба корбарони ниҳоӣ имкон медиҳанд, ки истифода баранд. пешрафта барномаҳо тезтар ва ҳамвортар ва инчунин лаззат баред ҳалли баландтар намоиш бо истеъмоли камтари батарея.
Хотираҳои нави мобилии Samsung DRAM LPDDR4 бо иқтидори 8 Гб истеҳсол карда мешаванд Технологияи истеҳсоли 20nm ва иқтидори 1 ГБ дар як чип пешниҳод мекунад, ки айни замон зичии баландтарини хотираҳои DRAM мебошад. Бо чор микросхемаҳои ҳар кадоме бо иқтидори 8 Гб, як корпуси ягона 4 ГБ LPDDR4, сатҳи баландтарини иҷрои дастрасро таъмин мекунад.
Илова бар ин, LPDDR4 шиддати пастро истифода мебарад Шиддати пасти Свинг Мантиқи қатъшуда (LVSTL) Интерфейси I/O, ки Samsung аслан барои JEDEC тарҳрезӣ шудааст. Дар микросхемаҳои нав ноил суръати интиқоли то 3 Мбит/с, ки ин суръати ду маротиба аз DRAM-ҳои ҳозира истеҳсолшудаи LPDDR3 аст. Бо вуҷуди ин, дар айни замон такрибан 40 фоиз кам энергия сарф мекунад дар шиддати 1,1 В.
Бо чипи нав, Samsung нақша дорад, ки на танҳо ба бозори мобилии олӣ, аз ҷумла Смартфонҳои UHD бо дисплейи калон, балки инчунин дар планшетҳо a ноутбукҳои ултра борик, ки дисплейро аз қарори Full-HD чор маротиба баландтар ва инчунин баландтар пешниҳод мекунад системаҳои шабакаи пурқувват.
Samsung як таҳиягари пешбари технологияҳои мобилии DRAM аст ва пешсафи саҳми бозор дар DRAM мобилӣ бо 4 Гб ва 6 Гб LPDDR3 мебошад. Ширкат пешниҳоди бориктарин ва хурдтарин 3 ГБ LPDDR3 (6 Гб) дар моҳи ноябр оғоз кард ва дар соли 8 як DRAM-и нави 4 Гб LPDDR2014 -ро муаррифӣ мекунад. Чипи DRAM-и мобилии 8 Гб дар бозори насли ояндаи дастгоҳҳои мобилӣ бо истифода аз микросхемаҳои иқтидори баланди DRAM хеле зуд васеъ мешавад.
